Samsung представила Exynos 7 Octa на 14-нм FinFET процессе

Samsung объявила о первом в отрасли однокристальном чипе на базе 14-нм 3D FinFET процессора. Это значительно улучшает мощь чипсета по сравнению с технологией 20 нм, используемой для производства текущего поколения Exynos 7.



По данным Samsung, новый Exynos 7 Octa основан на 14-нм процессе и способен на 20 процентов ускорить свою работу, на 35 процентов снизить энергопотребление и на 30 процентов показать рост производительности, благодаря процессу 3D FinFET.

Samsung уже скоро будет применять новый процесс в Exynos 7 Octa, и, конечно, хотелось бы увидеть его в первую очередь в предстоящем Galaxy S6.

Exynos 7 Octa


Компания заявила, что производственный процесс следующего поколения уже готов для массового производства. Его конкурентами вновь станут продукты от Apple и Qualcomm. Прибытие новой технологии от Samsung, как ожидается, даст компании значительное преимущество над конкурентами в этом году. Предстоящий чипсет Qualcomm Snapdragon 810 топ-класса будет производиться на процессе 20-нм TSMC. Его 16-нм процесс FinFET вряд ли будет готов для массового производства, поэтому его запуск произойдёт лишь в конце второго или начале третьего квартала 2015 года.

Автор: Романов Станислав Опубликовано: 2015-02-16 21:55:00

Комментарии